发明名称 |
MOS TRANSISTOR CIRUIT WITH BREAKDOWN PROTECTION |
摘要 |
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申请公布号 |
EP0168552(A3) |
申请公布日期 |
1986.02.26 |
申请号 |
EP19850102555 |
申请日期 |
1981.06.17 |
申请人 |
KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA |
发明人 |
ASANO, MASAMICHI;IWAHASHI, HIROSHI;KOBAYASHI, ICHIRO |
分类号 |
H03F1/52;H01L27/02;H01L27/06;H01L29/78;H02H7/20;H03F1/42;H03K17/0812;H03K19/00;H03K19/003;(IPC1-7):H01L27/04 |
主分类号 |
H03F1/52 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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