| 发明名称 | 直拉(切氏法)硅单晶的氮保护气氛 | ||
| 摘要 | 直拉硅单晶的氮保护气氛属于半导体材料制造技术。在直拉(切氏法)硅单晶技术中，以氮气作为拉晶的保护气体。所用的氮气纯度为99.999％以上，进入硅单晶炉内氮气流量为2—50升/分，炉内氮气压力为0.5—60乇。由于氮气来源丰富，价格低廉，可大幅度地降低硅单晶成本，产生积极的效果。 | ||
| 申请公布号 | CN85100295A | 申请公布日期 | 1986.02.10 |
| 申请号 | CN85100295 | 申请日期 | 1985.04.01 |
| 申请人 | 浙江大学 | 发明人 | 阙端麟;李立本;林玉瓶 |
| 分类号 | C30B27/02 | 主分类号 | C30B27/02 |
| 代理机构 | 浙江大学专利事务所 | 代理人 | 连寿金 |
| 主权项 | 1、一种直拉硅单晶的氮保护气氛，本发明的特征是采用纯氮作为拉制硅单晶的保护气。 | ||
| 地址 | 浙江省杭州市玉泉 | ||