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经营范围
发明名称
PROCESSO PER LA FABBRICAZIONE DI TRANSISTORI FET DI POTENZA
摘要
申请公布号
IT1115542(B)
申请公布日期
1986.02.03
申请号
IT19770029877
申请日期
1977.11.22
申请人
IBM CORP
发明人
分类号
H01L21/336;H01L29/06;H01L29/78;(IPC1-7):H01L/
主分类号
H01L21/336
代理机构
代理人
主权项
地址
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