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发明名称 METHOD FOR EPITAXIAL GROWTH OF SEMICONDUCTOR CRYSTAL
摘要
申请公布号 JPH0412091(A) 申请公布日期 1992.01.16
申请号 JP19900111020 申请日期 1990.04.26
申请人 NIPPON MINING CO LTD 发明人 KOYAKE MAKOTO;KANO MANABU;TAKAKUSAKI MISAO
分类号 C30B23/08;H01L21/203 主分类号 C30B23/08
代理机构 代理人
主权项
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