| 发明名称 |
DISPOSITIF DE MEMOIRE A SEMICONDUCTEURS ET PROCEDE DE FABRICATION D'UN TEL DISPOSITIF |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
FR2499749(B1) |
申请公布日期 |
1986.01.24 |
| 申请号 |
FR19820001073 |
申请日期 |
1982.01.25 |
| 申请人 |
HITACHI LTD |
发明人 |
NOBUYOSHI TANIMURA ET TOKUMASA YASUI;YASUI TOKUMASA |
| 分类号 |
G11C11/417;G11C11/412;H01L21/02;H01L21/3215;H01L21/822;H01L21/8234;H01L21/8238;H01L21/8244;H01L27/02;H01L27/04;H01L27/06;H01L27/092;H01L27/11;H01L29/78;(IPC1-7):G11C11/40 |
主分类号 |
G11C11/417 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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