| 发明名称 |
PROCEDE DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF POSSEDANT UN CIRCUIT A TRANSISTORS A EFFET DE CHAMPS A GRILLE ISOLEE COMPLEMENTAIRE ET UN CIRCUIT LOGIQUE INTEGRE A INJECTION SUR LE MEME SUBSTRAT SEMICONDUCTEUR |
| 摘要 |
|
| 申请公布号 |
FR2533367(B1) |
申请公布日期 |
1986.01.24 |
| 申请号 |
FR19830018617 |
申请日期 |
1983.11.23 |
| 申请人 |
HITACHI LTD |
发明人 |
SETSUO OGURA;SHIZUO KONDO;MAKOTO FURIHATA |
| 分类号 |
H01L21/8226;H01L21/331;H01L21/8248;H01L21/8249;H01L27/02;H01L27/082;H01L29/73;H03K19/018;(IPC1-7):H01L21/82;G11C17/00 |
主分类号 |
H01L21/8226 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
|
| 地址 |
|
