| 发明名称 |
Procédé de fabrication de fispositifs à semiconducteurs dotés d'un câblage en aluminium par exposition du substrat à une solution réactive. |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
FR2720855(B1) |
申请公布日期 |
1998.03.27 |
| 申请号 |
FR19950006357 |
申请日期 |
1995.05.30 |
| 申请人 |
FUJITSU LTD |
发明人 |
ABE YASUSHIGE;AKABOSHI FUMIHIKO;SHIMIZU KATSUNORI;KONDO TETSUO |
| 分类号 |
H01L21/28;H01L21/321;(IPC1-7):H01L21/321 |
主分类号 |
H01L21/28 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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