| 主权项 |
1.一种非挥发性记忆体,包含:资料储存格,包括储存元件、控制闸、及第一与第二源极/吸极终端;第一电流源,用以提供第一电流到第一源极/吸极终端;节点,电连接于第二源极/吸极终端;偏压电路,用以提供偏电压到节点,偏电压随温度变化,偏电压的变化与资料储存格的临界电压之热变化大约反向;及控制闸电压电路,用以提供电压位准到控制闸。2.根据申请专利范围第1项之非挥发性记忆体,更包含资料感测电路耦合于资料储存格的第一源极/吸极终端,资料感测电路用以感测第一源极/吸极的电压。3.根据申请专利范围第1项之非挥发性记忆体,其中偏压电路包含:第二电流源,连接于节点;参考电压产生器,用以产生参考电压,参考电压不随温度变化;及偏压电晶体,具有第一源极/吸极终端耦合于节点,并具有闸终端耦合于参考电压产生器。4.根据申请专利范围第1项之非挥发性记忆体,其中在资料储存元件的读取循环期间,控制闸电压电路用以提供预定顺序的电压位准到资料储存元件的控制闸。5.一种非挥发性记忆体,包含:储存资料之机构,包含电荷储存元件、控制闸、及第一与第二源极/吸极终端;提供第一电流到资料储存机构的第一源极/吸极终端之机构;提供偏电压到资料储存机构的第二源极/吸极终端之机构,偏电压随温度变化,偏电压的变化与资料储存机构的临界电压之热变化大约反向;及提供电压位准到资料储存元件的控制闸之机构。6.根据申请专利范围第5项之非挥发性记忆体,更包含资料储存机构的第一源极/吸极终端之电压的感测机构。7.根据申请专利范围6项之非挥发性记忆体,其中提供偏电压的机构包含:自资料储存机构的第二源极/吸极终端引出第二电流之机构;产生参考电压之机构,参考电压大约不随温度变化;及偏压电晶体,具有第一源极/吸极终端耦合于资料储存机构的的第二源极/吸极终端,并具有闸终端耦合于产生参考电压的机构。8.根据申请专利范围7项之非挥发性记忆体,其中在资料储存元件的读取循环期间,提供电压位准到资料储存机构的控制闸之机构用以提供预定顺序的电压位准到资料储存机构的控制闸。9.一种非挥发性记忆体的储存资料之读取方法,包含:传导第一电流通过EEPROM电晶体的第一源极/吸极终端,EEPROM电晶体具有第二源极/吸极终端耦合于节点;藉由电流源传导电流通过节点;提供热不变偏电压到电晶体的闸,电晶体具有源极/吸极终端耦合于节点,电晶体藉由电流源传导至少一部位电流通过节点;提供电压到EEPROM电晶体的控制闸;及侦测EEPROM电晶体的第一源极/吸极终端之电压。10.根据申请专利范围第9项之方法,更包含:提供连续电压到EEPROM电晶体的控制闸;侦测EEPROM电晶体的第一源极/吸极终端之电压下降;及自EEPROM电晶体的第一源极/吸极终端之电压下降,决定连续电压的哪一个电压使EEPROM电晶体发生传导。11.根据申请专利范围第10项之方法,更包含决定藉由EEPROM电晶体反应使EEPROM电晶体发生传导的电压之决定所储存的数値。12.一种非挥发性记忆格阵列之操作方法,该记忆格逐个具有至少一储存元件位于源极/吸极终端间之至少一部位通道之上,及控制闸耦合于该至少一储存元件,该操作方法包含:定址一或多格,用以同时读取或程式化其中的资料,施加一位准的电供应到至少一变化成记忆格阵列的温度功能之定址格的源极/吸极终端,及施加一组电压到不依赖记忆格阵列的温度之定址格的控制闸。图式简单说明:图1为结合本发明的观点之记忆体系统的方块图;图2为一部位图1的记忆格阵列之部分方块形式的概略图;图3为一部位图2的记忆体电路之相等概略图;图4A为说明图3的电路修改版之几个有具特色的电流-电压曲线图;及图4B为说明图3的电路操作期间的一电压曲线图。 |
