| 发明名称 | 氮化物半导体单晶基材及其合成方法 | ||
| 摘要 | 发明改善AlGaN单晶基材的断裂韧度，并且降低该基材的吸收系数。氮化物半导体单晶基材具有由通式Al<SUB>x</SUB>Ga<SUB>1-x</SUB>N(0≤x≤1)表示的组成，其特征在于断裂韧度为(1.2-0.7x)MPa·m<SUP>1/2</SUP>或更大以及表面积为20cm<SUP>2</SUP>；或者它具有通式Al<SUB>x</SUB>Ga<SUB>1-x</SUB>N(0.5≤x≤1)表示的组成，其特征在于在350～780nm的整个波长范围内其吸收系数为50cm<SUP>-1</SUP>或更小。 | ||
| 申请公布号 | CN100466176C | 申请公布日期 | 2009.03.04 |
| 申请号 | CN200510088295.3 | 申请日期 | 2005.08.02 |
| 申请人 | 住友电气工业株式会社 | 发明人 | 藤原伸介;中畑成二 |
| 分类号 | H01L21/20(2006.01) | 主分类号 | H01L21/20(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 陈平 |
| 主权项 | 1.一种氮化物半导体单晶基材，它具有通式AlN表示的组成，其特征在于断裂韧度为0.5MPa·m1/2或更大以及表面积为20cm2或更大，总杂质密度为1×1017cm-3或更低，并且氧密度为1×1016cm-3或更低。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||