A SELF-ALIGNING PROCESS FOR PLACING A BARRIER METAL OVER THE SOURCE AND DRAIN REGIONS OF MOS SEMICONDUCTORS.

摘要

Procédé d'auto-alignement pour ajouter un métal de barrage aux zones de source et de drain de semi-conducteurs d'oxydes métalliques. Un élément d'espacement de paroi latérale d'oxyde (18) est tout d'abord formé sur les côtés des zones de porte saillant vers le haut. Un métal de barrage (19) est ensuite ajouté sur toute la surface, avant l'addition d'une couche (20) de matériau de protection. Le matériau de protection est ajouté en couches (20, 21), chaque couche étant emboutie jusqu'à ce que la surface soit presque lisse. On effectue ensuite un décapage anisotropique pour retirer la protection partout sauf sur les zones de source et de drain, zones qui sont abaissées en raison de la zone de porte saillant vers le haut et d'un matériau d'isolation environnant saillant vers le haut. Le métal de barrage exposé est enlevé et la protection restante dépouillée, si bien qu'il ne reste une couche de métal de barrage que sur les zones de source et de drain.