| 发明名称 |
FABRICATION OF GROUP III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING HIGH AND LOW RESISTIVITY REGIONS. |
| 摘要 |
On utilise la propriété de matériaux de composés des groupes III-V, selon laquelle le matériau soumis à un bombardement ionique devient très résistif mais récupère sa faible résistivité originale par recuit à une température dépendant du matériau et du dopant, pour fabriquer des circuits intégrés comportant des barres de bus ou des interconnexions de semi-conducteurs enterrées (14) entre les dispositifs (D1, D2). |
| 申请公布号 |
EP0162061(A1) |
申请公布日期 |
1985.11.27 |
| 申请号 |
EP19840903905 |
申请日期 |
1984.10.18 |
| 申请人 |
AMERICAN TELEPHONE AND TELEGRAPH COMPANY |
发明人 |
ANTHONY, PHILIP, JOHN;HARTMAN, ROBERT, LOUIS;KOSZI, LOUIS, ALEX;SCHWARTZ, BERTRAM |
| 分类号 |
H01L21/265;H01L21/266;H01L21/324;H01L21/74;H01L21/76;H01L21/8252;H01L27/15;(IPC1-7):H01L21/324 |
主分类号 |
H01L21/265 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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