发明名称 Method of manufacturing an infra-red detector.
摘要 Die Erfindung beschreibt ein Verfahren zur Herstellung eines Infrarotdetektors, bei dem in einem Gehäuse ein Infrarotsensorelement, ein Feldeffekttransistor und ein hochohmiger Ableitwiderstand angeordnet sind. Bekannte Infrarotdetektoren verwenden separate und vergleichsweise teuere Chipwiderstände als Ableitwiderstände. Um den Infrarotdetektor kostengünstiger herstellen zu können, wird ein Verfahren vorgeschlagen, bei dem der Widerstand durch Aufstempeln auf ein Trägerelement, das aus einem hochtemperaturbeständigen Thermoplastkunststoff besteht, aufgebracht und anschließend ausgehärtet wird.
申请公布号 EP0158093(A2) 申请公布日期 1985.10.16
申请号 EP19850102237 申请日期 1985.02.28
申请人 PREH, ELEKTROFEINMECHANISCHE WERKE JAKOB PREH NACHF. GMBH & CO. 发明人 BERTHOLD, GOTTFRIED, DR. RER. NAT;MUELLER, WALTER;POPELLA, DETLEF, DIPL.-PHYS.;SIEDE, HEINZ-JUERGEN, DIPL.-ING.
分类号 G01J1/02;G01J5/34;(IPC1-7):G01J5/34;H01L37/02 主分类号 G01J1/02
代理机构 代理人
主权项
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