铝栅MOS/双极复合功率管

摘要

本发明属于集成功率器件。由MOS管作为输入级，双极型管作为输出级在同一芯片上以达林顿形式组成。该管具有高输入阻抗和低输出阻抗的特点。采用以铝栅工艺为主体的MOS/双极兼容工艺，MOS管的漏区与一只双极型管的基区为同一扩散区(2)，衬底材料采用三重扩散片(9)，(10)。使用同一套光刻版，只要改变衬底掺杂和各次扩散掺杂的性质，可以分别做成PMOS/nPn复合功率管或nMOS/pnp复合功率管。本发明可做为高输入阻抗的低频大功率器件使用。

主权项

1、一种MOS管作为输入级，双极型管作为输出级，在同一芯片上以达林顿形式组成的复合功率管，其特征在于该管由铝栅MOS管与两只双极型晶体管以串联形式组成。