| 发明名称 |
MATERIALS FOR MOS DEVICE GATE ELECTRODES |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
GB2126419(B) |
申请公布日期 |
1985.09.25 |
| 申请号 |
GB19830020459 |
申请日期 |
1983.07.29 |
| 申请人 |
* TOKYO SHIBAURA DENKI KABUSHIKI KAISHA |
发明人 |
SHUN-ICHI * HIRAKI;YOSHIO * YOKOTA;KAZUO * TSURU;SHIGEO * YAWATA |
| 分类号 |
H01L21/265;H01L29/423;H01L29/43;H01L29/49;H01L29/78;(IPC1-7):H01L29/62 |
主分类号 |
H01L21/265 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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