DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR METAL-OXYDE A EFFET DE CHAMP ET SON PROCEDE DE FABRICATION

摘要

DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR METAL-OXYDE A EFFET DE CHAMP VERTICAL QUI COMPREND EN SERIE, DES REGIONS DE SOURCE, DE CORPS ET DE DRAIN, DE TYPES DE CONDUCTIVITE ALTERNES, COMPORTANT DES JONCTIONS PN ENTRE ELLES, LES REGIONS DE SOURCE ET DE DRAIN ETANT ESPACEES DE MANIERE A DEFINIR LATERALEMENT UNE REGION DE CANAL DANS LA REGION DE CORPS SUR UNE PREMIERE SURFACE DE LA PASTILLE, UNE ELECTRODE DE SOURCE SUR LADITE SURFACE DE LA PASTILLE ET UNE ELECTRODE DE DRAIN SUR UNE SURFACE OPPOSEE DE CETTE PASTILLE, CE DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ETANT CARACTERISE EN CE QU'IL COMPORTE UNE REGION SUPPLEMENTAIRE 80 PRESENTE UN TYPE DE CONDUCTIVITE SIMILAIRE A CELUI DE LADITE REGION DE CORPS 62, CETTE REGION SUPPLEMENTAIRE AYANT UNE CONCENTRATION DE DOPANTS SUPERFICIELLE ELEVEE PAR RAPPORT A CELLE DE LADITE REGION DE CORPS ET ELLE S'ETEND LATERALEMENT AU-DESSOUS D'UNE PORTION AU MOINS DE LADITE REGION DE CANAL 70.