发明名称 CIRCUIT DE POLARISATION D'UN TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP
摘要 <P>L'INVENTION CONCERNE UN CIRCUIT DE POLARISATION PAR DEUX TENSIONS V, V D'UN TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP T. CE CIRCUIT PERMET DE FAIRE VARIER LE POINT DE POLARISATION DU TRANSISTOR, EN FAISANT VARIER LA TENSION DE POLARISATION DE SOURCE V.</P><P>SELON L'INVENTION, AU MOINS UNE ELECTRODE D'ACCES D EST POLARISEE, A PARTIR D'UNE TENSION DE POLARISATION V A TRAVERS UN PREMIER TRANSISTOR SECONDAIRE T FONCTIONNANT EN CHARGE SATURABLE. LA GRILLE G DU TRANSISTOR PRINCIPAL T ET LA GRILLE G DE LA CHARGE SATURABLE T SONT REUNIES EN DEUX POINTS A, B D'UN PONT DIVISEUR, ALIMENTE PAR LES DEUX TENSIONS DE POLARISATION V, V ET COMPRENANT AU MOINS DEUX RESISTANCES R, R ET UN SECOND TRANSISTOR SECONDAIRE T. LA TENSION GRILLE-SOURCE V DE LA CHARGE SATURABLE T SUIT LA TENSION GRILLE-SOURCE V DU TRANSISTOR T.</P><P>APPLICATION AUX CIRCUITS INTEGRES HYPERFREQUENCES.</P>
申请公布号 FR2558659(A1) 申请公布日期 1985.07.26
申请号 FR19840000889 申请日期 1984.01.20
申请人 THOMSON CSF 发明人 CHRISTIAN RUMELHARD
分类号 H03F1/30;H03F3/193;H03F3/34;H03F3/345;H03F3/347;H03F3/60;(IPC1-7):H03F1/00;H03F3/16 主分类号 H03F1/30
代理机构 代理人
主权项
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