发明名称 |
E2PROM having bulk storage |
摘要 |
An electrically erasable programmable read only memory employs a single unsteered on-chip high voltage generator that applies high voltage simultaneously to all cells on the chip.
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申请公布号 |
US4527258(A) |
申请公布日期 |
1985.07.02 |
申请号 |
US19820431464 |
申请日期 |
1982.09.30 |
申请人 |
MOSTEK CORPORATION |
发明人 |
GUTERMAN, DANIEL C. |
分类号 |
G11C16/04;G11C16/16;(IPC1-7):G11C7/00;G11C11/40 |
主分类号 |
G11C16/04 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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