发明名称 E2PROM having bulk storage
摘要 An electrically erasable programmable read only memory employs a single unsteered on-chip high voltage generator that applies high voltage simultaneously to all cells on the chip.
申请公布号 US4527258(A) 申请公布日期 1985.07.02
申请号 US19820431464 申请日期 1982.09.30
申请人 MOSTEK CORPORATION 发明人 GUTERMAN, DANIEL C.
分类号 G11C16/04;G11C16/16;(IPC1-7):G11C7/00;G11C11/40 主分类号 G11C16/04
代理机构 代理人
主权项
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