| 发明名称 |
Indium antimonide photodiode and process for manufacturing it. |
| 摘要 |
<p>On réalise des photo-diodes à l'antimoniure d'indium par implantation ionique de l'isotope S34<+> du soufre, sur un substrat en antimoniure d'indium (1) de type P. Ces photo-diodes peuvent être sans problème couplées à un dispositif à transfert de charge à canal N qui réalise le multiplexage des photo-diodes et la lecture des charges.</p> |
| 申请公布号 |
EP0144264(A1) |
申请公布日期 |
1985.06.12 |
| 申请号 |
EP19840402419 |
申请日期 |
1984.11.27 |
| 申请人 |
THOMSON-CSF |
发明人 |
HENRY, YVES;NICOLLET, ANDRE;VILLARD, MICHEL |
| 分类号 |
H01L27/146;H01L21/265;H01L29/207;H01L31/10;H01L31/103;H01L31/18;(IPC1-7):H01L31/18 |
主分类号 |
H01L27/146 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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