| 发明名称 |
READ-ONLY MEMORY WITH FIELD EFFECT TRANSISTORS HAVING VARIABLE CONDUCTANCE VALUE CHANNELS |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
EP0020648(B1) |
申请公布日期 |
1985.05.15 |
| 申请号 |
EP19790901649 |
申请日期 |
1980.06.03 |
| 申请人 |
NCR CORPORATION |
发明人 |
CRAYCRAFT, DONALD GREGORY |
| 分类号 |
G11C17/00;G11C11/56;G11C17/12;H01L27/112;(IPC1-7):G11C17/00 |
主分类号 |
G11C17/00 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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