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Thyristor mit einem Halbleiterkörper, der eine Anzahl von mit Teilen einer ersten Elektrode (5) versehenen Emitterzonen (1) und einer an diese angrenzenden ersten Basis (2) sowie einen von einer zweiten Elektrode (6) kontaktierten Emitter (4) und eine an diesen und an die erste Basis angrenzende, zweite Basis (3) aufweist. Randseitig zu den Emitterzonen (1) sind über MIS-Feldeffekttransistoren (T1, T2) des Verarmungstyps steuerbare Emitterkurzschlüsse angeordnet. Angestrebt wird, Thyristoren dieser Art trotz einiger Fehlerstellen als einsatzfähig zu halten. Das wird dadurch erreicht, daß die Emitterzonen zu mehreren Gruppen zusammengefaßt sind, die gruppenspezifische Steueranschlüsse für die MIS-FETs aufweisen, wobei nur die Steueranschlüsse (29) der funktionsfähigen Gruppen mit einem eine Steuerspannung (UG) führenden Sammelkontakt (30) verbunden sind, die Steueranschlüsse der fehlerbehafteten Gruppen (33) dagegen nicht, so daß die letzteren Gruppen funktionell ausgeschaltet sind. Das Anwendungsgebiet umfaßt insbesondere Leistungshalbleiter.
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