Method of producing highly integrated complementary circuits of MOS field effect transistors.

摘要

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen von hochintegrierten komplementären MOS-Feldeffekttrransistorschaltungen (CMOS-Schaltungen), bei dem durch Verwendung eines geeigneten, vorzugsweise aus Siliziden hochschmelzender Metalle bestehenden Gatematerials (17) die Einsatzspannung der n- und p-Kanal CMOS-FETs mit Gateoxiddicken dGOX (15) im Bereich von 10 bis 30 nm durch eine einzige Kanalionenimplantation (16) gleichzeitig symmetrisch eingestellt wird. Bei Verwendung von Tantalsilizid wird die Gateoxiddicke dGOX (15) auf 20 nm eingestellt und die Kanalimplantation mit einer Dosis von 3 × 10¹¹ B cm ² und einer Energie von 25 keV durchgeführt. Dies ermöglicht neben dem Erreichen einer hohen Spannungsfestigkeit für kurze Kanallängen die Einsparung einer fotolithographischen Maske, was einer Verbesserung in Bezug auf Ausbeute und Kosten darstellt. Das Verfahren dient der Herstellung von analog, digital CMOS-Schaltungen in VLSI-Technologie.