| 摘要 |
Procédé de production de silicium à un degré lui permettant une utilisation dans le domaine solaire, au cours duquel une réaction de réduction, de préférence la réduction de SiF4 par du sodium liquide (12) est exécutée pratiquement de manière continue par l'injection des réactifs en proportions stoechiométriques dans une chambre de réaction (42) dont la température est contrôlée, ce qui provoque la formation d'un brouillard ou d'une dispersion de réactifs. Les réactifs sont amenés à une vitesse et une température permettant à la réaction d'avoir lieu assez loin de la zone d'entrée pour éviter le bouchage des réactifs à la zone d'entrée, que la réaction est complétée et que pratiquement tout le produit de réaction se solidifie pour former une poudre s'écoulant librement avant que le produit de réaction ne frappe la paroi de la chambre de réaction (80). Le produit de réaction n'adhère ainsi pas à la paroi de la chambre de réaction, il n'y prend pas non plus des impuretés. La séparation des produits de réaction s'effectue aisément selon un processus soit de lessivage, soit de séparation par fusion. |
