| 发明名称 | 以MoSi<SUB>2</SUB>为主成分的发热体及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及以MoSi<SUB>2</SUB>为主成分的发热体及该发热体的制造方法,所说的发热体含有70%以上的MoSi<SUB>2</SUB>,该发热体的整体平均密度与相当于发热体直径1/5的中心部的密度之差(真密度比)在5%以下,优选在3%以下,上述发热体的制造方法是在预烧结工序中按照适当调节升温速度的温度模型进行烧结。本发明可以提高以MoSi<SUB>2</SUB>为主成分的发热体的耐久性并能抑制在制造工序中缺陷的产生。 | ||
| 申请公布号 | CN1294833A | 申请公布日期 | 2001.05.09 |
| 申请号 | CN00800192.8 | 申请日期 | 2000.02.17 |
| 申请人 | 株式会社日本能源 | 发明人 | 高垣大辅;高村博 |
| 分类号 | H05B3/14 | 主分类号 | H05B3/14 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 卢新华;钟守期 |
| 主权项 | 1．一种以MoSi2为主成分的发热体，其中含有70％以上的MoSi2，其特征在于，发热体整体的平均密度与相当于发热体直径1／5的中心部的密度之差(真密度比)在5％以下。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||