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Procédé de gravure anisotropique de produits semiconducteurs comprenant une couche diélectrique inférieure (12), une couche intermédiaire de polysilicium (14) et une couche supérieure de siliciure (16) telle que du siliciure de titane. Une couche de définition d'un tracé (20) recouvre normalement la couche de siliciure pour définir des zones cible à attaquer. Dans une première étape, le siliciure est attaqué en utilisant du Fréon 115 chloro, du pentafluoroétane (C2ClF5) dans une chambre de gravure au plasma conditionnée pour obtenir une gravure par réaction d'ions. La gravure est complétée dans la même chambre en utilisant un second gaz qui comprend une quantité de Cl2 choisie pour graver de manière anisotropique au travers de la couche de polysilicium sans attaquer sensiblement la couche diélectrique. De préférence, les deux attaques ont lieu après recouvrement des surfaces internes de la chambre d'attaque avec un matériau qui libère des molécules d'un caractère compris dans la couche de définition du tracé, tel du Kapton, un polyamide, dans l'exemple décrit. |
