| 摘要 |
Procédé de fabrication d'un semiconducteur sur un substrat composite isolant consistant en une couche semiconductrice adjacente à un substrat isolant, le profil de densité de défaut de la couche à semiconducteur étant faible et relativement uniforme, une région relativement fine de la couche à semiconducteur au niveau de l'interface semiconducteur/isolant ayant une densité de défaut sensiblement plus grande. Le procédé consiste à déposer la couche à semiconducteur (12a) adjacente au substrat d'isolant (10), à rendre amorphe une partie noyée (14) de la couche à semiconducteur sans endommager le substrat isolant de manière à libérer les substances contaminantes dans la couche à semiconducteur, à recristalliser la partie amorphe du semiconducteur ou couche, à enlever une partie de la couche à semiconducteur de manière à exposer la couche recristallisée (38), et à déposer une couche à semiconducteur supplémentaire (40) de la couche recristallisée pour obtenir une couche à semiconducteur sensiblement sans défaut d'une épaisseur désirée. L'obtention des couches à semiconducteur formées soit en sélectionnant de manière appropriée la profondeur dans la couche à semiconducteur à laquelle a lieu l'amorphisation et la largeur de la région amorphisée soit en permettant un auto-recuit lors de l'amorphisation, soit les deux, ces couches ayant une densité de défaut élevée désirée et interposées entre la couche recristallisée et le substrat isolant est également décrite. |
