| 摘要 |
Es wird ein Wafer-Herstellungsverfahren zum Herstellen eines hexagonalen Einkristall-Wafers aus einem hexagonalen Einkristall-Ingot offenbart. Das Wafer-Herstellungsverfahren umfasst einen Trennstartpunktausbildungsschritt mit einem Einstellen des Brennpunkts eines Laserstrahls, der eine Transmissionswellenlänge für den Ingot aufweist, auf eine von der oberen Fläche des Ingots aus vorbestimmte Tiefe im Inneren des Ingots, wobei die Tiefe der Dicke des herzustellenden Wafers entspricht, und als Nächstes einem Aufbringen des Laserstrahls auf die obere Fläche des Ingots bei einer relativen Bewegung des Brennpunkts und des Ingots, um dadurch eine modifizierte Schicht parallel zu der oberen Fläche des Ingots und Risse auszubilden, die sich von der modifizierten Schicht erstrecken, sodass ein Trennstartpunkt ausgebildet wird, und zudem nach dem Ausführen des Trennstartpunktausbildungsschritts einen Wafer-Trennschritt mit einem Trennen eines plattenförmigen Elements, das eine Dicke aufweist, die der Dicke des Wafers von dem Ingot entspricht, bei einem Trennstartpunkt umfasst, sodass der Wafer von dem Ingot produziert wird. |
