| 摘要 |
제1 매립 산화물과 그 제1 매립 산화물 위에 제조된 제1 반도체 장치 층을 포함하는 다층 반도체 장치 구조물을 제공한다. 제1 반도체 장치 층은 패터닝된 정상면을 포함한다. 패터닝된 면은 절연체 재료와 도전체 재료를 포함한다. 절연체 재료의 표면 밀도는 40 퍼센트보다 높다. 다층 반도체 장치 구조체는 상기 제1 반도체 장치 층의 패터닝된 면에 접합된 제2 매립 산화물과 상기 제2 매립 산화물 위에 제조된 제2 반도체 장치 층을 더 포함한다. |
