发明名称 UN METODO PARA PRODUCIR UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR FOTOVOLTAICO DE PELICULA DELGADA CON PRIORIDADES OPTICAS MEJORADAS
摘要 <p>METODO PARA PRODUCIR UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR FOTOVOLTAICO DE PELICULA DELGADA CON PROPIEDADES OPTICAS MEJORADAS.COMPRENDE: A) PRODUCIR UNA CAPA ACTIVA DE MATERIAL SEMICONDUCTOR EN DONDE LA SUPERFICIE DE AL MENOS UNA CARA DE DICHA CAPA ACTIVA ESTA TEXTURADA DE TAL MODO QUE LA SUPERFICIE INCLUYE MICROESTRUCTURAS ALEATORIAMENTE ESPACIADAS Y DENSAMENTE AGRUPADAS DE DIMENSIONES PREDETERMINADAS DEL ORDEN DE LA LONGITUD DE ONDA DE LA LUZ VISIBLE EN EL MATERIAL SEMICONDUCTOR; Y B) FIJAR DIRECTAMENTE UNA SUPERFICIE REFLECTANTE A UNA DE LAS CARAS DE DICHO MATERIALSEMICONDUCTOR Y ESTABLECER UN CONTACTO OHMICO CON EL MATERIAL.</p>
申请公布号 ES8406798(A1) 申请公布日期 1984.11.01
申请号 ES19400005247 申请日期 1983.08.04
申请人 EXXON RESEARCH AND ENGINEERING COMPANY 发明人
分类号 F24J2/48;H01L21/312;H01L31/0236;H01L31/052;H01L31/075;(IPC1-7):H01L31/18 主分类号 F24J2/48
代理机构 代理人
主权项
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