发明名称 |
UN METODO PARA PRODUCIR UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR FOTOVOLTAICO DE PELICULA DELGADA CON PRIORIDADES OPTICAS MEJORADAS |
摘要 |
<p>METODO PARA PRODUCIR UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR FOTOVOLTAICO DE PELICULA DELGADA CON PROPIEDADES OPTICAS MEJORADAS.COMPRENDE: A) PRODUCIR UNA CAPA ACTIVA DE MATERIAL SEMICONDUCTOR EN DONDE LA SUPERFICIE DE AL MENOS UNA CARA DE DICHA CAPA ACTIVA ESTA TEXTURADA DE TAL MODO QUE LA SUPERFICIE INCLUYE MICROESTRUCTURAS ALEATORIAMENTE ESPACIADAS Y DENSAMENTE AGRUPADAS DE DIMENSIONES PREDETERMINADAS DEL ORDEN DE LA LONGITUD DE ONDA DE LA LUZ VISIBLE EN EL MATERIAL SEMICONDUCTOR; Y B) FIJAR DIRECTAMENTE UNA SUPERFICIE REFLECTANTE A UNA DE LAS CARAS DE DICHO MATERIALSEMICONDUCTOR Y ESTABLECER UN CONTACTO OHMICO CON EL MATERIAL.</p> |
申请公布号 |
ES8406798(A1) |
申请公布日期 |
1984.11.01 |
申请号 |
ES19400005247 |
申请日期 |
1983.08.04 |
申请人 |
EXXON RESEARCH AND ENGINEERING COMPANY |
发明人 |
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分类号 |
F24J2/48;H01L21/312;H01L31/0236;H01L31/052;H01L31/075;(IPC1-7):H01L31/18 |
主分类号 |
F24J2/48 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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