| 摘要 |
Un composé de transport métallique organique permet la croissance de couches épitaxiales alliées ou dopées à l'étain facilement reproductibles. Dans un système à réacteur MOCVD (dépôt de vapeur chimique métallique organique), un procédé consiste à effectuer un dépôt épitaxial d'une couche d'un matériau semiconducteur, y compris une espèce élémentaire donnée, sur un substrat semiconducteur maintenu dans la chambre du réacteur MOCVD. L'espèce élémentaire est obtenue à partir de la décomposition d'un composé organométallique en phase vapeur constitué essentiellement de tétraméthyltine. |
