PROCEDIMIENTO DE FABRICACION DE UN DISPOSITIVO SEMI-CONDUCTOR, EN PARTICULAR DE UNA CELULA SOLAR FOTOVOLTAICA.

摘要

PROCEDIMIENTO DE FABRICACION DE UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR EN PARTICULAR DE UNA CELULA SOLAR FOTOVOLTAICA.CONSISTE EN VARIAS ETAPAS: A) REALIZAR UNA UNION SOBRE LA SUPERFICIE ANTERIOR DE LA PLACA DE SUBSTRATO SEMICONDUCTOR MEDIANTE DIFUSION EN ESTA DE UNA MATERIA DE DOPADO; B) RECUBRIR LA SUPERFICIE ANTERIOR DOPADA CON UNA CAPA DE MATERIA ANTI-REFLECTANTE; C) RECUBRIR POR SERIGRAFIA LA CAPA DE MATERIA ANTI-REFLECTANTE CON UNA CAPA DE PASTA DE BASE DE PLATA; D) SOMETER LA PASTA A BASE DE PLATA A UN TRATAMIENTO TERMICO CONTROLADO; E) APLICAR POR SERIGRAFIAEN AL MENOS UNA PARTE IMPORTANTE DE LA SUPERFICIE POSTERIOR DE LA PLACA DE SUBSTRATO SEMICONDUCTOR UNA PRIMERA CAPA, FORMADA POR UNA PASTA DE ALUMINIO; Y F) APLICAR POR SERIGRAFIA SOBRE LA PRIMERA CAPA DE ALUMINIO, UNA SEGUNDA CAPA CUYO PORCENTAJE DE COBERTURA TIENE DE 10 A 40 FORMADA POR UNA PASTA A BASE DE PLATA O PALADIO O POR UNA SEGUNDA PASTA DE PLATA.