DISPOSITIF POUR FAIRE AGIR UN PLASMA GAZEUX SUR DES PIECES A TRAVAILLER

摘要

LE DISPOSITIF D'ATTAQUE PAR PLASMA A SEC EST DESTINE A L'ATTAQUE D'UN ENSEMBLE DE TRANCHES 15 SEMICONDUCTRICES EN COUCHE MINCE DE TYPE PLANAR D'UNE MANIERE SIMULTANEE ET UNIFORME DANS UNE CHAMBRE RELATIVEMENT PETITE DANS LAQUELLE SONT PLACES DES SOUS-ENSEMBLES D'ELECTRODES LAMINAIRES 19, 25 SUPERPOSES VERTICALEMENT ET ESPACES POUR FORMER DES REGIONS DE DECHARGE DE PLASMA 13A, 13F PAR L'APPLICATION D'UNE EXCITATION ELECTRIQUE A HAUTE FREQUENCE. A L'INTERIEUR DE CES REGIONS, LES TRANCHES PEUVENT SUBIR SIMULTANEMENT UNE ATTAQUE PAR PLASMA DE PLANAR OU UNE ATTAQUE IONIQUE REACTIVE RIE EN ETANT SUPPORTEES PAR DES ELECTRODES SUPERIEURES DESDITS SOUS-ENSEMBLES AUXQUELLES EST APPLIQUEE A TOUT INSTANT LA MEME TENSION. UN TRANSPORT SIMPLE DES TRANCHES EST REALISE AU MOYEN D'UN POSTE DE TRANSFERT 12 MUNI D'UN BRAS DE TRANSFERT DE TRANCHE 26 QUI CHARGE ET DECHARGE LES TRANCHES ENTRE LES POSITIONS D'UNE CASSETTE 14 DANS LAQUELLE ELLES SONT SUPERPOSEES VERTICALEMENT ET LES REGIONS D'ATTAQUE.APPLICATION A L'ELABORATION DE COMPOSANTS DE CIRCUITS ELECTRONIQUES.