VERFAHREN ZUR KONTINUIERLICHEN REGELUNG DER ABTASTGESCHWINDIGKEIT OPTOELEKTRONISCHER KOPIERSTEUEREINRICHTUNGEN,申请号DD19820245639-传众专利搜索

首页产品黄页商标征信

会员服务注册登录

法人/股东/高管

发明名称	VERFAHREN ZUR KONTINUIERLICHEN REGELUNG DER ABTASTGESCHWINDIGKEIT OPTOELEKTRONISCHER KOPIERSTEUEREINRICHTUNGEN
摘要
申请公布号	DD212214(A1)	申请公布日期	1984.08.08
申请号	DD19820245639	申请日期	1982.12.07
申请人	VEB MESSGERAETEWERK BEIERFELD,DD	发明人	WINKLER,WOLFGANG,DD;EISENREICH,HARALD,DD
分类号	B23Q35/128;(IPC1-7):B23Q35/128	主分类号	B23Q35/128
代理机构		代理人
主权项
地址

您可能感兴趣的专利

全固态电池及彼之制法;ALL-SOLID BATTERY AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

形成有机发光二极体装置之方法;METHOD FOR FORMING AN ORGANIC LIGHT EMITTING DIODE DEVICE

发光二极体晶圆及其制造方法;LED WAFER AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

主动元件;ACTIVE DEVICE

发光二极体模组;LIGHT EMITTING DIODE MODULE

有机电致发光显示装置及有机电致发光显示装置之制造方法

用于多层式半导体装置之寄生电感缩减电路板布局设计;PARASITIC INDUCTANCE REDUCTION CIRCUIT BOARD LAYOUT DESIGNS FOR MULTILAYERED SEMICONDUCTOR DEVICES

具有虚拟闸极及闸极的半导体装置;SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING DUMMY GATE AND GATE

主动元件基板与其之制作方法;ACTIVE DEVICE SUBSTRATE AND MANUFACTURE METHOD THEREOF

三维半导体装置及其制造方法

制作非挥发性记忆体（ＮＶＭ）胞结构之方法;METHOD OF MAKING A NON-VOLATILE MEMORY (NVM) CELL STRUCTURE

具有主／从可组态设定的微电子元件;MICROELECTRONIC ELEMENTS WITH MASTER/SLAVE CONFIGURABILITY

安装方法及安装装置

调谐与电浆阻抗有关之参数;TUNING A PARAMETER ASSOCIATED WITH PLASMA IMPEDANCE

钕系烧结磁石及其制造方法;Nd BASED SINTERED MAGNET AND ITS PREPARATION

导电性材料之制造方法、导电性复合体之制造方法、导电性材料、导电性复合体、导电性可塑性材料、及导电性布;METHOD FOR PRODUCING CONDUCTIVE RAW MATERIAL, METHOD FOR PRODUCING CONDUCTIVE COMPLEX, CONDUCTIVE RAW MATERIAL, CONDUCTIVE COMPLEX, CONDUCTIVE PLASTIC RAW MATERIAL, AND CONDUCTIVE CLOTH

具有每单元位元可组态能力之方法、装置及系统;METHOD, DEVICE, AND SYSTEM INCLUDING CONFIGURABLE BIT-PER-CELL CAPABILITY

静态随机存取记忆体单元;SRAM CELLS