摘要 |
<p>Selon l'invention il est utilisé, outre trois couples de repères d'alignement (40-50 à 42-52) inscrits respectivement sur un masque (1) et un échantillon (2) disposés parallèlement en relation de proximité, au moins deux couples de repères supplémentaires (600-700 à 603-703) servant à évaluer les distorsions dimensionnelles relatives du masque (1) et de l'échantillon (2). Chaque couple de repère comprend une lentille à zone de Fresnel et un trait interrompu formant réseau à pas constant. Après, alignement à l'aide des repères d'alignement, les repères supplémentaires sont utilisés pour déterminer l'amplitude des distorsions. La distance source-masque est ajustée pour compenser les distorsions linéaires et l'assiette du masque est ajustée pour compenser les distorsions non-linéaires. Application à la microlithographie en rayons X, UV et par faisceaux électroniques ou ioniques.</p> |