Magnetic field sensor and the use thereof.

摘要

Der Magnetfeldsensor besteht aus einem nur eine einzige Emitter-Schicht (6) enthaltenden lateralen bipolaren Magnetotransistor, dessen Basis-Schicht (2) als Wanne in einem Siliziumsubstrat (1) vom umgekehrten Material-Leitfähigkeitstyp an dessen Oberfläche enthalten ist. Der P/N-Übergang der Basis-Schicht (2) zum Siliziumsubstrat (1) ist in Sperrichtung gepolt mit Hilfe mindestens eines Kollektor-Sekundärkontaktes (3a bzw. 3b). Die Emitter-Schicht (6) muß zur Erzeugung eines niedrigen Wirkungsgrades möglichst dünn, jedoch dicker als 0.5 µm sein und/oder so schwach mit Fremdatomen dotiert sein, daß ihre Resistivität größer als hundert Ohm pro Quadrat beträgt. Die Empfindlichkeit des Magnetfeldsensors beträgt annähernd 100%/Tesla.