| 发明名称 |
PROCESSO PER LA FABBRICAZIONE DI TRANSISTORI MOS COMPLEMENTARI A BASSE TENSIONI DI SOGLIA IN CIRCUITI INTEGRATI AD ALTA DENSITA' E STRUTTURA DA ESSO RISULTANTE. |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
IT8419086(D0) |
申请公布日期 |
1984.01.10 |
| 申请号 |
IT19840019086 |
申请日期 |
1984.01.10 |
| 申请人 |
SGS ATES COMPONENTI ELETTRONICI S.P.A. ORA SGS MICROELETTRONICA SPA |
发明人 |
LIVIO BALDI;GIUSEPPE CORDA;GIULIO IANNUZZI;DANILO RE;GIORGIO DE SANTI |
| 分类号 |
H01L27/092;H01L21/8238;H01L29/49;H01L29/78;(IPC1-7):H01L/ |
主分类号 |
H01L27/092 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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