| 发明名称 |
Planar semiconductor device and method of making the same. |
| 摘要 |
<p>Die Durchbruchspannung der pn-Übergänge bei Planarstrukturen wird dadurch erhöht, daß eine im Halbleiterkörper (4) angeordnete Zone (1) von zu diesem entgegengesetzten Leitungstyp ringförmig von weiteren Zonen (2...n) ihres Leitungstyps und mit nach außen hin abnehmender Dotierungskonzentration umgeben ist.</p> |
| 申请公布号 |
EP0095658(A2) |
申请公布日期 |
1983.12.07 |
| 申请号 |
EP19830104901 |
申请日期 |
1983.05.18 |
| 申请人 |
DEUTSCHE ITT INDUSTRIES GMBH;ITT INDUSTRIES, INC. |
发明人 |
ADAM, FRITZ GUENTER, DR.RER.NAT.DIPL.-PHYS. |
| 分类号 |
H01L29/73;H01L21/331;H01L29/06;H01L29/40;H01L29/861 |
主分类号 |
H01L29/73 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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