| 主权项 |
1.一种有机薄膜电晶体之制造方法,其包括下列步骤:提供一基材;形成一闸极电极于该基材上;形成一复合介电层于该基材及该闸极电极上;形成一有机层于该复合介电层上;以及形成一源极及一汲极于该复合介电层上且电性连接于该有机层之两端部。2.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该基材系为一塑胶基材或一有机基材。3.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该复合介电层系由至少一层有机介电层及至少一层液态沉积氧化矽薄膜所组成。4.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该复合介电层系由至少一层有机介电层及至少一层液态沉积氧化矽薄膜所交错重叠而成。5.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该复合介电层系将一层液态沉积氧化矽薄膜交错重叠于两层有机介电层之间。6.一种有机薄膜电晶体结构,其包括:一基材;一闸极,形成于该基材上;一复合介电层,形成于该闸极及该基材上;一有机层,形成于该复合介电层上;一源极,形成于该复合介电层上,且电性连接于该有机层之一端部;以及一汲极,形成于该复合介电层上,且电性连接于该有机层之另一端部。7.如申请专利范围第6项所述之有机薄膜电晶体结构,其中该基材系为一塑胶基材或一有机基材。8.如申请专利范围第6项所述之有机薄膜电晶体结构,其中该复合介电层系由至少一层有机介电层及至少一层液态沉积氧化矽薄膜所组成。9.如申请专利范围第6项所述之有机薄膜电晶体结构,其中该复合介电层系由至少一层有机介电层及至少一层液态沉积氧化矽薄膜所交错重叠而成。10.如申请专利范围第6项所述之有机薄膜电晶体结构,其中该复合介电层系将一层液态沉积氧化矽薄膜交错重叠于两层有机介电层之间。图式简单说明:第1图系为一习知底部闸极有机薄膜电晶体之剖面图。第2图系为一习知顶部闸极有机薄膜电晶体之剖面图。第3图系为本发明之一种有机薄膜电晶体第一实施态样剖面结构实施例图。第4图系为本发明之一种有机薄膜电晶体第二实施态剖面结构实施例样图。第5图系为本发明之一种有机薄膜电晶体之制造方法实施例流程图。第6图系为本发明之一有机薄膜电体其氧化矽薄膜成长结果图。 |
