移除间隙壁之方法、制造金氧半导体电晶体元件之方法、及金氧半导体电晶体元件

摘要

本发明揭示一种移除间隙壁之方法、制造金氧半导体电晶体元件之方法、及金氧半导体电晶体元件，其中，于移除间隙壁之前，先于源极／汲极区域与闸极上的物质层(例如自对准金属矽化物层)及间隙壁上沉积一保护层，使得保护层在间隙壁上的厚度小于在物质层上的厚度，再部分移除保护层，使得保护层在间隙壁上的厚度大致上为零，而在物质层上仍有残余。因此，在移除间隙壁时，物质层可受有保护层的保护。