Process for the selective deposition of layered structures consisting of silicides of high melting metals on substrates essentially consisting of silicon, and their use.

摘要

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum selektiven Abscheiden von aus Siliziden hochschmelzender Metalle bestehenden Schichtstrukturen (7) auf im wesentlichen aus Silizium bestehenden Substraten (3, 4, 5) und deren Verwendung. Beim erfindungsgemäßen Verfahren wird für die Abscheidung der Metallsilizide (7) aus der Gasphase ein Halogenwasserstoff enthaltendes Reaktionsgas verwendet und der Druck, die Abscheidetemperatur und die Zusammensetzung des Reaktionsgases auf Werte eingestellt, bei dem durch die Anwesenheit des Halogenwasserstoffs bei der thermischen Zersetzung mit Ausnahme der aus Silizium bestehenden Bereiche (3) des Substrats (5) eine Keimbildung in den anderen Bereichen (4) unterdrückt wird. Das Verfahren wird verwendet bei der Herstellung der aus Siliziden bestehenden Kontakleiterbahnebenen von VLSI-Schaltungen.