LATERAL EPITAXIAL GROWTH BY SEEDED SOLIDIFICATION.

摘要

Procede et dispositif ameliores pour la cristallisation d'un materiau amorphe ou polycristallin. Selon la presente invention, un materiau devant etre cristallise est forme sur le substrat (10) et un materiau de germes cristallins simples (18) est dispose en contact et/ou a proximite d'au moins une partie du materiau a cristalliser. Une couche de materiau (20) servant d'"agent de mouillage" est ensuite formee sur le materiau (18) a cristalliser. La structure ainsi formee est soumise a un traitement thermique qui fait fondre le materiau (18) cristallise et lorsque ce materiau durcit sa structure cristalline est sensiblement epitaxiale et basee sur le materiau de germe. La couche d' "agent de mouillage" (20) sert a empecher une agglomeration nocive du materiau pendant la cristallisation.