Method of forming electroconductive domains in integrated monolithic semiconductor devices, and high package density semiconductor device manufactured by said method.

摘要

Bei der Herstellung kundenspezifischer integrierter Schaltungen werden handelsübliche Siliziumscheiben mit P-und N- resp. N- und P- Strukturen verwendet, auf welchen je nach Verwendungszweck specifische Kontaktflächen zur Verbindung dieser Stukturen erzeugt werden müssen. Im Gegensatz zu bekannten Technologien werden auf einer Siliziumscheibe galvanisch leitende Bereiche (4) mit standardisierten Aussparungen (6), welche nach einem vorbestimmten Raster (a) angeordnet sind, beispielsweise durch eine Atz- oder Auftragungstechnik erzeugt. Je nach der zu erzielenden Schaltungskonfiguration wird nun zwischen diesen Aussparungen (6) die leitfähige Schicht (4) aus Aluminium mittels ein Elektronen- oder elektromagnetischen Strahls direkt oder indirekt entfernt. Besonders geeignet ist hierfür ein Laser-Strahl, welcher auf einfache Weise positioniert und gesteuert werden kann und zur Belichtung einer photosensitiven Schicht dient. Die Herstellung insularer leitender Bereiche erfolgt anschliessend durch eine Photo-Atztechnik Durch dieses Verfahren kann auf teure anwendungsspezifische Photomasken verzichtet werden. Eine entsprechend hergestellte Halbleiteranordnung weist auf ihrer leitenden Schicht (4) die nach dem vorgegebenen Raster angeordneten Aussparungen (6) auf, die End- und/oder Eckpunkte insularer leitender Bereiche (7) darstellen