| 摘要 |
Dispositif de mémoire redondante à semiconducteurs permettant de corriger toute colonne défectueuse de cellules binaires dans un réseau de mémoire à semiconducteurs à agencement par bytes. Le dispositif (10) est arrangé en colonnes de cellules binaires (14) adressables par segments de bit (12) avec une pluralité de colonnes séparées et redondantes de cellules binaires, chaque colonne séparée pouvant être placée électroniquement dans toute position de colonne à l'intérieur d'un segment de bit quelconque de la mémoire. D'une manière spécifique, des dispositifs de multiplexage (40) sont prévus sur les tampons de sortie (16) d'une mémoire pour le multiplexage de segments binaires conventionnels avec les colonnes de remplacement de cellules binaires (28 et 30), les colonnes de remplacment étant activées, c'est-à-dire sélectionnées, uniquement lorsqu'une colonne particulière du segment de bit conventionnel a été identifiée comme défectueuse.. |
