| 发明名称 |
FORMATION OF PATTERN ON RESIST LAYER OF GERMANIUM SELENIDE ON SUBSTRATE |
| 摘要 |
An improved method of etching a silver-doped germanium selenide resist film utilizing as the etchant gas sulfur hexafluoride. |
| 申请公布号 |
JPS58137835(A) |
申请公布日期 |
1983.08.16 |
| 申请号 |
JP19820219131 |
申请日期 |
1982.12.13 |
| 申请人 |
RCA CORP |
发明人 |
PAURU GIDEON FUGETSUTO;KURAUSU FURITSUKU |
| 分类号 |
G03F7/004;G03C5/56;G03F7/26;G03F7/36;H01L21/027;H01L21/302;H01L21/3065 |
主分类号 |
G03F7/004 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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