| 摘要 |
<p>La présente invention concerne un dispositif semiconducteur, du genre transistor à hétérojonction(s), comprenant un empilement de couches semiconductrices qui, par combinaison, forment trois régions dites de source (15, 14), de grille (12) et de drain (11, 10, 8), alors que le trajet du courant qui s'établit entre lesdites régions de source et de drain est sensiblement perpendiculaire aux diverses jonctions, remarquable en ce que la région de grille (12) constitue une région d'accumulation d'électrons, sous la forme d'un quasi-gaz de Fermi à deux dimensions que l'on peut porter au potentiel de polarisation désiré au moyen d'une électrode de grille (13), alors que les électrons qui forment le courant source-drain traversent ce nuage d'électrons sans avoir beaucoup d'interaction avec lui, sous un régime balistique ou quasi-balistique. Application : dispositif semiconducteur</p> |
