| 摘要 |
<p>DISPOSITIVO DE MEMORIA CON CELULAS DE MEMORIA MTL ESTATICAS, SITUADAS EN LOS PUNTOS DE CRUCE DE LINEAS DE VOCABLOS Y BITIOS. CARACTERIZADO PORQUE LAS SEÑALES DE LECTURA Y ESCRITURA LLEGAN A LAS LINEAS DE BITIOS MEDIANTE ACOPLAMIENTO POR INYECCION; PORQUE UNOS INYECTORES PRIMARIOS INYECTAN UNA CORRIENTE DE CELULA EN LAS ZONAS DE BASE DE LOS TRANSISTORES NPN DE BIESTABLE; PORQUE UNA PARTE DE LA CORRIENTE DE CELULA ES INYECTADA POR EL TRANSISTOR DE BIESTABLE, EN ESTADO DE CONDUCCION, EN UNA ZONA P CONTIGUA, DISPUESTA COMO INYECTOR DE LINEA DE BITIOS; Y PORQUE LOS INYECTORES PRIMARIOS Y LOS INYECTORES DE LINEA DE BITIOS ESTAN ACOPLADOS ENTRE SI MEDIANTE UN ACOPLAMIENTO DE INYECCION ANGULAR.</p> |
