| 发明名称 |
Semiconductor-temperature sensor. |
| 摘要 |
Die Erfindung betrifft einen Temperatursensor mit einem schichtförmigen Halbleiterkörper (3) als Meßwiderstand. Dieser Halbleiterkörper (3) ist auf einem Halbleitersubstrat (6) aufgebracht und mit zwei Kontaktelektroden (2, 8; 9, 13) versehen, die an den Enden des Halbleiterkörpers (3) liegen.
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| 申请公布号 |
EP0075833(A2) |
申请公布日期 |
1983.04.06 |
| 申请号 |
EP19820108689 |
申请日期 |
1982.09.20 |
| 申请人 |
SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT |
发明人 |
TOMASI, GILBERT, DR.-ING.;MITLEHNER, HEINZ, DR. RER. NAT. |
| 分类号 |
G01K7/22;H01L35/00;(IPC1-7):G01K7/22 |
主分类号 |
G01K7/22 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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