发明名称 DISPOSITIF SEMICONDUCTEUR SENSIBLE AUX IONS
摘要 <P>LA PRESENTE INVENTION CONCERNE LES SENSEURS ELECTROCHIMIQUES.</P><P>SELON L'INVENTION, LE DISPOSITIF COMPORTE UN TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP, AYANT UNE GRILLE FLOTTANTE 20, FORME SUR UNE PREMIERE FACE D'UN SUBSTRAT 10 ET UNE COUCHE SENSIBLE 15 DISPOSEE SUR LA DEUXIEME FACE DUDIT SUBSTRAT ET COUPLEE CAPACITIVEMENT A LA GRILLE FLOTTANTE PAR L'INTERMEDIAIRE D'UNE MEMBRANE MINCE ISOLANTE 13B.</P><P>L'INVENTION S'APPLIQUE DANS LE DOMAINE BIOMEDICAL.</P>
申请公布号 FR2510260(A1) 申请公布日期 1983.01.28
申请号 FR19810014501 申请日期 1981.07.24
申请人 FONDATION SUISSE RECHERC MICROTE 发明人 FELIX RUDOLF
分类号 G01N27/07;G01N27/00;G01N27/414;H01L29/78;H01L29/786;H01L29/788;(IPC1-7):G01N27/30 主分类号 G01N27/07
代理机构 代理人
主权项
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