| 发明名称 |
PROCEDIMENTO PER LA FABBRICAZIONE DI DISPOSITIVI A CIRCUITI INTEGRATI A SEMICONDUTTORI. |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
IT8319237(D0) |
申请公布日期 |
1983.01.21 |
| 申请号 |
IT19830019237 |
申请日期 |
1983.01.21 |
| 申请人 |
HITACHI LTD |
发明人 |
SHIGEO KURODA;TAKAHIKO TAKAHASHI;AKIO ANZAI |
| 分类号 |
H01L29/73;H01L21/331;H01L21/76;H01L21/762;H01L21/8222;H01L29/72;(IPC1-7):H01L/ |
主分类号 |
H01L29/73 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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