| 发明名称 |
Process for doping semiconductors. |
| 摘要 |
<p>La présente invention a pour objet un procédé de dopage de semiconducteurs. Ce procédé consiste à déposer sur la surface d'un substrat une couche de matériau contenant des particules dopantes, à bombarder ladite couche au moyen d'un faisceau de particules de bombardement pour implanter les particules dopantes dans le substrat, à éliminer la couche de matériau et à effectuer un recuit transistoire, le bombardement de la couche de matériau contenant les particules dopantes déposées sur la surface du substrat, l'élimination de la couche dopante après pénétration des particules dopantes dans le substrat et le recuit transitoire étant réalisés dans le même temps au moyen du même faisceau de particules.</p> |
| 申请公布号 |
EP0067090(A1) |
申请公布日期 |
1982.12.15 |
| 申请号 |
EP19820400883 |
申请日期 |
1982.05.12 |
| 申请人 |
COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ETABLISSEMENT DE CARACTERE SCIENTIFIQUE TECHNIQUE ET INDUSTRIEL |
发明人 |
BRUEL, MICHEL;SPINELLI, PHILIPPE |
| 分类号 |
H01L21/263;H01L21/265;H01L21/324;(IPC1-7):01L21/265;01L21/324 |
主分类号 |
H01L21/263 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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