| 发明名称 |
PREPARATION OF GAAS SINGLE CRYSTAL WITH LOW DISLOCATION DENSITY |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
JPS57200297(A) |
申请公布日期 |
1982.12.08 |
| 申请号 |
JP19810084665 |
申请日期 |
1981.06.02 |
| 申请人 |
SUMITOMO DENKI KOGYO KK |
发明人 |
AKAI SHINICHI;FUJITA KEIICHIROU |
| 分类号 |
C30B11/04;C30B29/42;H01L21/18;H01L21/208 |
主分类号 |
C30B11/04 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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